Open Access
| Numéro |
Collection SFO - Vol. 6
Volume 6, 1998
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| Page(s) | 397 - 400 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/sfo/1998008 | |
Collection SFO 6 (1998) 397-400
DOI: 10.1051/sfo/1998008
Groupe d'Optique Non Linéaire et d'Optoélectronique, Institut de Physique et Chimie des Matériaux de Strasbourg, UMR 7504 du CNRS, OLP, 23 rue du Loess, BP. 20 CR, 67037 Strasbourg cedex, France
© EDP Sciences 1998
DOI: 10.1051/sfo/1998008
Influence de la saturation des niveaux d'impuretés sur la dynamique de la luminescence de couches épitaxiées de nitrure de gallium
H. Haag, B. Hönerlage, P. Gilliot et R. LévyGroupe d'Optique Non Linéaire et d'Optoélectronique, Institut de Physique et Chimie des Matériaux de Strasbourg, UMR 7504 du CNRS, OLP, 23 rue du Loess, BP. 20 CR, 67037 Strasbourg cedex, France
Résumé
Nous avons étudié la dynamique de la luminescence de couches épitaxiées de nitrure de
gallium sur substrat de saphir. Sous fortes intensités d'excitation, nous observons une augmentation du
temps de recombinaison de la luminescence jaune. Ces résultats s'interprètent à l'aide de niveaux
d'impuretés situés 1 eV au-dessus de la bande de valence, jouant un rôle de réservoir saturable.
© EDP Sciences 1998