Open Access
| Numéro |
Collection SFO - Vol. 8
Volume 8, 2003
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|---|---|---|
| Page(s) | 253 - 255 | |
| Section | Troisième partie : Caractérisations des couches minces et interfaces (Communication) | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/bib-sfo:20028112 | |
Collection SFO 8 (2003) 253-255
DOI: 10.1051/bib-sfo:20028112
Laboratoire des Sciences et Matériaux pour l'Électronique et d'Automatique, UMR CNRS/UBP 6602, Université Blaise Pascal Clermont-Ferrand II, 24 avenue des Landais, F-63177 AUBIÈRE CEDEX, FRANCE
Martine.MIHAILOVIC@lasmea.univ-bpclermont.fr
Mots clés : Semiconducteurs -- propriétés optiques -- fonction diélectrique
© EDP Sciences 2003
DOI: 10.1051/bib-sfo:20028112
Ellipsométrie spectroscopique de composés à base de nitrures
M. Mihailovic, S. Colard, L. Siozade, J. Leymarie, P. Disseix, A. Vasson et Antoine-VincentLaboratoire des Sciences et Matériaux pour l'Électronique et d'Automatique, UMR CNRS/UBP 6602, Université Blaise Pascal Clermont-Ferrand II, 24 avenue des Landais, F-63177 AUBIÈRE CEDEX, FRANCE
Martine.MIHAILOVIC@lasmea.univ-bpclermont.fr
Résumé
Sur des films épais de GaN hexagonal, des mesures d'ellipsométrie spectroscopique et de réflectivité ont été réalisées à 300 K dans la gamme de longueurs d'onde 300 à 600 nm. Elles ont permis de déterminer l'indice complexe de GaN en fonction de la longueur d'onde. Les spectres ellipsométriques nécessaires à l'étude optique des couches d'AlN et des couches tampons qui permettent leur croissance sur substrat de silicium sont aussi présentés.
Mots clés : Semiconducteurs -- propriétés optiques -- fonction diélectrique
© EDP Sciences 2003